Semicerapresenteert met trots de30 mm aluminiumnitridewafelsubstraat, een topmateriaal dat is ontworpen om te voldoen aan de strenge eisen van moderne elektronische en opto-elektronische toepassingen. Aluminiumnitride (AlN)-substraten staan bekend om hun uitstekende thermische geleidbaarheid en elektrische isolatie-eigenschappen, waardoor ze een ideale keuze zijn voor hoogwaardige apparaten.
Belangrijkste kenmerken:
• Uitzonderlijke thermische geleidbaarheid: De30 mm aluminiumnitridewafelsubstraatbeschikt over een thermische geleidbaarheid tot 170 W/mK, aanzienlijk hoger dan andere substraatmaterialen, waardoor een efficiënte warmteafvoer wordt gegarandeerd bij toepassingen met hoog vermogen.
•Hoge elektrische isolatie: Met uitstekende elektrische isolatie-eigenschappen minimaliseert dit substraat overspraak en signaalinterferentie, waardoor het ideaal is voor RF- en microgolftoepassingen.
•Mechanische sterkte: De30 mm aluminiumnitridewafelsubstraatbiedt superieure mechanische sterkte en stabiliteit, waardoor duurzaamheid en betrouwbaarheid worden gegarandeerd, zelfs onder zware bedrijfsomstandigheden.
•Veelzijdige toepassingen: Dit substraat is perfect voor gebruik in krachtige LED's, laserdiodes en RF-componenten en biedt een robuuste en betrouwbare basis voor uw meest veeleisende projecten.
•Precisie fabricage: Semicera zorgt ervoor dat elk wafelsubstraat met de hoogste precisie wordt vervaardigd en een uniforme dikte en oppervlaktekwaliteit biedt om te voldoen aan de veeleisende normen van geavanceerde elektronische apparaten.
Maximaliseer de efficiëntie en betrouwbaarheid van uw apparaten met Semicera's30 mm aluminiumnitridewafelsubstraat. Onze substraten zijn ontworpen om superieure prestaties te leveren en ervoor te zorgen dat uw elektronische en opto-elektronische systemen optimaal werken. Vertrouw op Semicera voor geavanceerde materialen die toonaangevend zijn in de sector op het gebied van kwaliteit en innovatie.
| Artikelen | Productie | Onderzoek | Dummie |
| Kristalparameters | |||
| Polytype | 4H | ||
| Fout in oppervlakteoriëntatie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektrische parameters | |||
| Doteringsmiddel | n-type stikstof | ||
| Weerstand | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
| Mechanische parameters | |||
| Diameter | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dikte | 350±25 μm | ||
| Primaire vlakke oriëntatie | [1-100]±5° | ||
| Primaire platte lengte | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Secundaire flat | Geen | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5 mm * 5 mm) | ≤5 μm (5 mm * 5 mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
| Boog | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Verdraaien | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Voorste (Si-gezicht) ruwheid (AFM) | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
| Structuur | |||
| Dichtheid van de micropijp | <1 stuk/cm2 | <10 stuks/cm2 | <15 stuks/cm2 |
| Metaalonzuiverheden | ≤5E10 atomen/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 e/cm2 | ≤3000 e/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 e/cm2 | NA |
| Front kwaliteit | |||
| Voorkant | Si | ||
| Oppervlakteafwerking | Si-face CMP | ||
| Deeltjes | ≤60ea/wafeltje (size≥0.3μm) | NA | |
| Krassen | ≤5ea/mm. Cumulatieve lengte ≤Diameter | Cumulatieve lengte≤2*Diameter | NA |
| Sinaasappelschil/putten/vlekken/strepen/scheuren/verontreiniging | Geen | NA | |
| Randchips/inkepingen/breuk/zeskantplaten | Geen | ||
| Polytype-gebieden | Geen | Cumulatief gebied≤20% | Cumulatief gebied≤30% |
| Lasermarkering aan de voorkant | Geen | ||
| Terug Kwaliteit | |||
| Afwerking achterkant | C-face CMP | ||
| Krassen | ≤5ea/mm, cumulatieve lengte≤2*Diameter | NA | |
| Rugdefecten (randchips/inkepingen) | Geen | ||
| Ruwheid van de rug | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
| Lasermarkering op de achterkant | 1 mm (vanaf bovenrand) | ||
| Rand | |||
| Rand | Afschuining | ||
| Verpakking | |||
| Verpakking | Epi-ready met vacuümverpakking Verpakking met meerdere wafercassettes | ||
| *Opmerkingen: "NA" betekent geen verzoek. Niet genoemde items kunnen verwijzen naar SEMI-STD. | |||
