2~6 inch 4° off-angle P-type 4H-SiC-substraat

Semicera's 2~6 inch 4° off-angle P-type 4H-SiC-substraten zijn ontworpen om te voldoen aan de groeiende behoeften van fabrikanten van krachtige stroom- en RF-apparaten. De oriëntatie onder een hoek van 4° zorgt voor een geoptimaliseerde epitaxiale groei, waardoor dit substraat een ideale basis is voor een reeks halfgeleiderapparaten, waaronder MOSFET's, IGBT's en diodes.

Dit 2~6 inch 4° off-angle P-type 4H-SiC-substraat heeft uitstekende materiaaleigenschappen, waaronder een hoge thermische geleidbaarheid, uitstekende elektrische prestaties en uitstekende mechanische stabiliteit. De oriëntatie buiten de hoek helpt de dichtheid van de micropijpen te verminderen en bevordert gladdere epitaxiale lagen, wat van cruciaal belang is voor het verbeteren van de prestaties en betrouwbaarheid van het uiteindelijke halfgeleiderapparaat.

Semicera's 2~6 inch 4° off-angle P-type 4H-SiC-substraten zijn verkrijgbaar in verschillende diameters, variërend van 2 inch tot 6 inch, om aan verschillende productievereisten te voldoen. Onze substraten zijn nauwkeurig ontworpen om uniforme dopingniveaus en hoogwaardige oppervlakte-eigenschappen te bieden, zodat elke wafer voldoet aan de strenge specificaties die vereist zijn voor geavanceerde elektronische toepassingen.

Semicera's toewijding aan innovatie en kwaliteit zorgt ervoor dat onze 2~6 inch 4° off-angle P-type 4H-SiC-substraten consistente prestaties leveren in een breed scala aan toepassingen, van vermogenselektronica tot hoogfrequente apparaten. Dit product biedt een betrouwbare oplossing voor de volgende generatie energiezuinige, hoogwaardige halfgeleiders en ondersteunt technologische vooruitgang in sectoren zoals de automobielsector, telecommunicatie en hernieuwbare energie.