Gesinterd siliciumcarbide onder atmosferische druk wordt niet langer alleen als schuurmiddel gebruikt, maar meer als nieuw materiaal en wordt veel gebruikt in hightechproducten, zoals keramiek gemaakt van siliciumcarbidematerialen.Dus wat zijn de zes voordelen van het sinteren van siliciumcarbide bij atmosferische druk en de toepassing van siliciumcarbidekeramiek?
Zes voordelen van gesinterde siliciumcarbidematerialen onder atmosferische druk:
1. Lage dichtheid
Het materiaal siliciumcarbide heeft een lagere dichtheid dan metaal, waardoor het apparaat lichter is.
2. Corrosiebestendigheid
Siliciumcarbidemateriaal heeft een hoog smeltpunt, chemische traagheid, thermische schokbestendigheid, siliciumcarbide wordt gebruikt in schuurmiddelen, keramische ovens, siliciumcarbide blanco's, kan worden gebruikt in de smelt- en smeltindustrie met verticale cilinderdestillatieoven, baksteen, aluminium elektrolytische celvoering , wolfraam, kleine ovens en andere keramische producten van siliciumcarbide.
3, hoge temperatuur, thermische uitzettingscoëfficiënt wordt verminderd
Siliciumcarbidemateriaal wordt vervaardigd bij hoge temperaturen.In sommige omgevingen met hoge temperaturen zijn materialen vereist die de verwerkingssterkte en verwerkingsprecisie vereisen die siliciumcarbide-keramiek kan bereiken.De hoge temperatuur van siliciumcarbide is ongeveer 800 en de temperatuur van staal is slechts 250. Ruwe berekening: de gemiddelde thermische uitzettingscoëfficiënt van siliciumcarbide in het bereik van 25 ~ 1400 is 4,10-6 /C.De thermische uitzettingscoëfficiënt van siliciumcarbide wordt gemeten en de resultaten laten zien dat de hoeveelheid veel kleiner is dan die van andere schuurmiddelen en materialen met hoge temperaturen.Gesinterd siliciumcarbide onder atmosferische druk
4, hoge thermische geleidbaarheid
De thermische geleidbaarheid van siliciumcarbidematerialen is hoog, wat een ander belangrijk kenmerk is van de fysieke eigenschappen van siliciumcarbide.De thermische geleidbaarheid van siliciumcarbide is veel groter dan die van andere vuurvaste materialen en schuurmiddelen, ongeveer vier keer die van korund.Siliciumcarbide heeft een lage thermische uitzettingscoëfficiënt en een hoge thermische geleidbaarheid, waardoor het werkstuk tijdens het verwarmen en afkoelen aan minder thermische spanningen wordt blootgesteld.Daarom zijn SiC-componenten bijzonder schokbestendig.
5, hoge mechanische sterkte, goede stijfheid
De mechanische sterkte van siliciumcarbidemateriaal is zeer hoog, waardoor materiaalvervorming wordt voorkomen.Siliciumcarbide heeft een hogere mechanische sterkte dan korund.
6, hoge hardheid en slijtvastheid
De hardheid van siliciumcarbidematerialen is zeer hoog en de hardheid van de Moss-spleet is 9,2 ~ 9,6, de tweede na diamant en wolfraamcarbide.Vergeleken met metalen staalmaterialen biedt het een hoge hardheid, lage wrijvingscoëfficiënt, relatief lage wrijving, kleine oppervlakteruwheid en goede slijtvastheid zonder smering.Bovendien is het bestand tegen stoffen van buitenaf, waardoor de oppervlaktetolerantie wordt verbeterd.Gesinterd siliciumcarbide onder atmosferische druk
Toepassing van gesinterde siliciumcarbidekeramiek onder atmosferische druk
1, siliciumcarbide materiaalproductie van speciale keramiek
Siliciumcarbidemateriaal is een materiaal met een hoge hardheid en lage kosten, dat siliciumcarbideproducten kan produceren, zoals siliciumcarbideafdichtingen, siliciumcarbidehulzen, kogelvrije platen van siliciumcarbide, siliciumcarbideprofielen, enz., die kunnen worden toegepast op mechanische afdichtingen en diverse pompen.Gesinterd siliciumcarbide onder atmosferische druk
2, zirkoniumoxide materiaalproductie van speciale keramiek
Zirkoniumoxide-keramiek heeft een hoge ionische geleidbaarheid, goede chemische stabiliteit en structurele stabiliteit, en is een veel bestudeerd en gebruikt elektrolytmateriaal geworden.Het verbeteren van het productieproces van op zirkoniumoxide gebaseerde elektrolytfilm, het verlagen van de werktemperatuur en de productiekosten van deze materialen, en het streven naar industrialisatie is ook een belangrijke richting voor toekomstig onderzoek.
Posttijd: 07-okt-2023