Functies:
De soortelijke weerstand van keramiek met halfgeleidereigenschappen is ongeveer 10-5 ~ 107ω.cm, en de halfgeleidereigenschappen van keramische materialen kunnen worden verkregen door dotering of door roosterdefecten te veroorzaken die worden veroorzaakt door stoichiometrische afwijkingen.Keramiek die deze methode gebruikt, omvat TiO2,
ZnO, CdS, BaTiO3, Fe2O3, Cr2O3 en SiC.De verschillende kenmerken vanhalfgeleider keramiekzijn dat hun elektrische geleidbaarheid verandert met de omgeving, wat kan worden gebruikt om verschillende soorten keramische gevoelige apparaten te maken.
Zoals hittegevoelige, gasgevoelige, vochtigheidsgevoelige, drukgevoelige, lichtgevoelige en andere sensoren.Halfgeleiderspinelmaterialen, zoals Fe3O4, worden gemengd met niet-geleidende spinelmaterialen, zoals MgAl2O4, in gecontroleerde vaste oplossingen.
MgCr2O4 en Zr2TiO4 kunnen worden gebruikt als thermistors, dit zijn zorgvuldig gecontroleerde weerstandsapparaten die variëren met de temperatuur.ZnO kan worden gemodificeerd door oxiden toe te voegen zoals Bi, Mn, Co en Cr.
De meeste van deze oxiden zijn niet vast opgelost in ZnO, maar worden afgebogen op de korrelgrens om een barrièrelaag te vormen, om ZnO-varistor-keramische materialen te verkrijgen, en is een soort materiaal met de beste prestaties in varistor-keramiek.
SiC-doping (zoals menselijk roet, grafietpoeder) kan worden voorbereidhalfgeleider materialenmet hoge temperatuurstabiliteit, gebruikt als verschillende weerstandsverwarmingselementen, dat wil zeggen siliciumkoolstofstaven in elektrische ovens op hoge temperatuur.Controleer de soortelijke weerstand en dwarsdoorsnede van SiC om bijna alles te bereiken wat gewenst is
Bedrijfsomstandigheden (tot 1500 ° C), het verhogen van de soortelijke weerstand en het verkleinen van de dwarsdoorsnede van het verwarmingselement zullen de gegenereerde warmte vergroten.Silicium-koolstofstaaf in de lucht zal een oxidatiereactie optreden, het gebruik van de temperatuur is over het algemeen beperkt tot 1600 ° C hieronder, het gewone type silicium-koolstofstaaf
De veilige bedrijfstemperatuur bedraagt 1350°C.In SiC wordt een Si-atoom vervangen door een N-atoom, omdat N meer elektronen heeft, er overtollige elektronen zijn en het energieniveau dicht bij de lagere geleidingsband ligt en gemakkelijk kan worden verhoogd naar de geleidingsband, dus deze energietoestand wordt ook wel het donorniveau genoemd, deze helft
De geleiders zijn halfgeleiders van het N-type of elektronisch geleidende halfgeleiders.Als een Al-atoom wordt gebruikt in SiC om een Si-atoom te vervangen, vanwege het ontbreken van een elektron, ligt de gevormde materiële energietoestand dicht bij de valentie-elektronenband erboven, is het gemakkelijk om elektronen te accepteren en wordt daarom acceptant genoemd.
Het hoofdenergieniveau, dat een lege positie in de valentieband achterlaat die elektronen kan geleiden omdat de lege positie hetzelfde werkt als de positieve ladingsdrager, wordt een P-type halfgeleider of gatenhalfgeleider genoemd (H. Sarman, 1989).
Posttijd: 02-09-2023