-
Kernpunten van de kwaliteitscontrole van halfgeleiderverpakkingsprocessen
Kernpunten voor kwaliteitscontrole in het halfgeleiderverpakkingsproces Momenteel is de procestechnologie voor halfgeleiderverpakkingen aanzienlijk verbeterd en geoptimaliseerd. Vanuit een algemeen perspectief hebben de processen en methoden voor het verpakken van halfgeleiders echter nog niet de meest perfecte...Lees meer -
Uitdagingen in het halfgeleiderverpakkingsproces
De huidige technieken voor het verpakken van halfgeleiders worden geleidelijk aan verbeterd, maar de mate waarin geautomatiseerde apparatuur en technologieën worden toegepast in het verpakken van halfgeleiders bepaalt rechtstreeks de realisatie van de verwachte resultaten. De bestaande halfgeleiderverpakkingsprocessen hebben nog steeds last van...Lees meer -
Onderzoek en analyse van het halfgeleiderverpakkingsproces
Overzicht van het halfgeleiderproces Het halfgeleiderproces omvat voornamelijk de toepassing van microfabricage- en filmtechnologieën om chips en andere elementen binnen verschillende regio's, zoals substraten en frames, volledig met elkaar te verbinden. Dit vergemakkelijkt de extractie van leadterminals en inkapseling met ...Lees meer -
Nieuwe trends in de halfgeleiderindustrie: de toepassing van beschermende coatingtechnologie
De halfgeleiderindustrie is getuige van een ongekende groei, vooral op het gebied van de vermogenselektronica van siliciumcarbide (SiC). Nu veel grootschalige waferfabrieken worden gebouwd of uitgebreid om aan de stijgende vraag naar SiC-apparaten in elektrische voertuigen te voldoen, is dit ...Lees meer -
Wat zijn de belangrijkste stappen bij de verwerking van SiC-substraten?
De manier waarop we de verwerkingsstappen voor SiC-substraten produceren, is als volgt: 1. Kristaloriëntatie: met behulp van röntgendiffractie om de kristalstaaf te oriënteren. Wanneer een röntgenbundel op het gewenste kristalvlak wordt gericht, bepaalt de hoek van de afgebogen bundel de kristaloriëntatie.Lees meer -
Een belangrijk materiaal dat de kwaliteit van de groei van monokristallijn silicium bepaalt: thermisch veld
Het groeiproces van monokristallijn silicium vindt volledig plaats op thermisch gebied. Een goed thermisch veld is bevorderlijk voor het verbeteren van de kristalkwaliteit en heeft een hoge kristallisatie-efficiëntie. Het ontwerp van het thermische veld bepaalt grotendeels de veranderingen en veranderingen...Lees meer -
Wat is epitaxiale groei?
Epitaxiale groei is een technologie waarbij een enkele kristallaag groeit op een enkelkristalsubstraat (substraat) met dezelfde kristaloriëntatie als het substraat, alsof het oorspronkelijke kristal zich naar buiten heeft uitgebreid. Deze nieuw gegroeide monokristallijne laag kan verschillen van het substraat in termen van c...Lees meer -
Wat is het verschil tussen substraat en epitaxie?
Bij het wafelvoorbereidingsproces zijn er twee kernschakels: de ene is de voorbereiding van het substraat en de andere is de implementatie van het epitaxiale proces. Het substraat, een wafel die zorgvuldig is vervaardigd uit halfgeleider-monokristalmateriaal, kan direct in de wafelproductie worden geplaatst...Lees meer -
Onthulling van de veelzijdige kenmerken van grafietverwarmers
Grafietverwarmers zijn in verschillende industrieën uitgegroeid tot onmisbare hulpmiddelen vanwege hun uitzonderlijke eigenschappen en veelzijdigheid. Van laboratoria tot industriële omgevingen: deze verwarmingstoestellen spelen een cruciale rol in processen variërend van materiaalsynthese tot analytische technieken. Tussen de verschillende...Lees meer -
Gedetailleerde uitleg van de voor- en nadelen van droog etsen en nat etsen
Bij de productie van halfgeleiders bestaat er een techniek die ‘etsen’ wordt genoemd tijdens de verwerking van een substraat of een dunne film die op het substraat is gevormd. De ontwikkeling van de etstechnologie heeft een rol gespeeld bij het verwezenlijken van de voorspelling van Intel-oprichter Gordon Moore in 1965 dat “...Lees meer -
Onthulling van de hoge thermische efficiëntie en uitmuntende stabiliteit van siliciumcarbideverwarmers
Siliciumcarbide (SiC) verwarmingselementen lopen voorop op het gebied van thermisch beheer in de halfgeleiderindustrie. Dit artikel onderzoekt de uitzonderlijke thermische efficiëntie en opmerkelijke stabiliteit van SiC-verwarmers, en werpt licht op hun cruciale rol bij het garanderen van optimale prestaties en betrouwbaarheid in semicon...Lees meer -
Onderzoek naar de hoge sterkte en hoge hardheidskenmerken van siliciumcarbide waferboten
Siliciumcarbide (SiC) waferboten spelen een cruciale rol in de halfgeleiderindustrie en faciliteren de productie van hoogwaardige elektronische apparaten. Dit artikel gaat dieper in op de opmerkelijke kenmerken van SiC-waferboten, waarbij de nadruk ligt op hun uitzonderlijke sterkte en hardheid, en benadrukt hun betekenis...Lees meer