Siliciumcarbide wafeltjeis gemaakt van zeer zuiver siliciumpoeder en zeer zuiver koolstofpoeder als grondstoffen, en siliciumcarbidekristal wordt gekweekt door middel van fysieke dampoverdrachtmethode (PVT) en verwerkt totsiliciumcarbide wafeltje.
① Grondstofsynthese. Zeer zuiver siliciumpoeder en zeer zuiver koolstofpoeder werden volgens een bepaalde verhouding gemengd en siliciumcarbidedeeltjes werden gesynthetiseerd bij hoge temperaturen boven 2.000 ℃. Na het breken, reinigen en andere processen worden de zeer zuivere siliciumcarbidepoedergrondstoffen bereid die voldoen aan de eisen van kristalgroei.
② Kristalgroei. Met behulp van zeer zuiver SIC-poeder als grondstof werd het kristal gegroeid door middel van fysische dampoverdracht (PVT) -methode met behulp van een zelf ontwikkelde kristalgroeioven.
③ verwerking van ingots. De verkregen siliciumcarbide-kristalstaaf werd georiënteerd door middel van een röntgen-monokristal-oriëntator, vervolgens geslepen en gewalst, en verwerkt tot siliciumcarbidekristal met standaarddiameter.
④ Kristalsnijden. Met behulp van meerlijnige snijapparatuur worden siliciumcarbidekristallen in dunne platen gesneden met een dikte van niet meer dan 1 mm.
⑤ Spaanslijpen. De wafel wordt tot de gewenste vlakheid en ruwheid gemalen door diamantslijpvloeistoffen met verschillende deeltjesgroottes.
⑥ Spaanpolijsten. Het gepolijste siliciumcarbide zonder oppervlaktebeschadiging werd verkregen door mechanisch polijsten en chemisch mechanisch polijsten.
⑦ Chipdetectie. Gebruik een optische microscoop, röntgendiffractometer, atoomkrachtmicroscoop, contactloze weerstandstester, oppervlaktevlakheidstester, uitgebreide tester voor oppervlaktedefecten en andere instrumenten en apparatuur om de dichtheid van microtubuli, kristalkwaliteit, oppervlakteruwheid, weerstand, kromtrekken, kromming te detecteren, dikteverandering, oppervlaktekras en andere parameters van siliciumcarbidewafel. Aan de hand hiervan wordt het kwaliteitsniveau van de chip bepaald.
⑧ Spaanreiniging. Het siliciumcarbide-polijstblad wordt gereinigd met reinigingsmiddel en zuiver water om de resterende polijstvloeistof en ander oppervlaktevuil op het polijstblad te verwijderen, en vervolgens wordt de wafel geblazen en droog geschud door een ultrazuivere stikstof- en droogmachine; De wafel wordt ingekapseld in een schone plaatdoos in een superschone kamer om stroomafwaarts een kant-en-klare siliciumcarbidewafel te vormen.
Hoe groter de chipgrootte, hoe moeilijker de overeenkomstige kristalgroei- en verwerkingstechnologie, en hoe hoger de productie-efficiëntie van stroomafwaartse apparaten, hoe lager de eenheidskosten.
Posttijd: 24 november 2023