PART/1CVD-methode (Chemical Vapour Deposition): Bij 900-2300℃, met behulp van TaCl5 en CnHm als tantaal- en koolstofbronnen, H₂ als reducerende atmosfeer, Ar₂ als draaggas, reactie-afzettingsfilm. De voorbereide coating is compact, uniform en hoge zuiverheid. Er zijn echter enkele problemen...
Lees meer