Nieuws

  • Toepassingsvooruitzichten van siliciumcarbidewafelboten op het gebied van halfgeleiders

    Toepassingsvooruitzichten van siliciumcarbidewafelboten op het gebied van halfgeleiders

    Op het gebied van halfgeleiders is materiaalkeuze van cruciaal belang voor de prestaties van apparaten en de procesontwikkeling. De laatste jaren hebben siliciumcarbidewafels, als opkomend materiaal, wijdverbreide aandacht getrokken en een groot potentieel getoond voor toepassing op het gebied van halfgeleiders. Silico...
    Lees meer
  • Toepassingsvooruitzichten van siliciumcarbidekeramiek op het gebied van fotovoltaïsche zonne-energie

    Toepassingsvooruitzichten van siliciumcarbidekeramiek op het gebied van fotovoltaïsche zonne-energie

    Naarmate de mondiale vraag naar hernieuwbare energie de afgelopen jaren is toegenomen, is fotovoltaïsche zonne-energie steeds belangrijker geworden als schone, duurzame energieoptie. Bij de ontwikkeling van fotovoltaïsche technologie speelt materiaalkunde een cruciale rol. Onder hen siliciumcarbide-keramiek, een...
    Lees meer
  • Bereidingswijze van gewone TaC-gecoate grafietonderdelen

    Bereidingswijze van gewone TaC-gecoate grafietonderdelen

    PART/1CVD-methode (Chemical Vapour Deposition): Bij 900-2300℃, met behulp van TaCl5 en CnHm als tantaal- en koolstofbronnen, H₂ als reducerende atmosfeer, Ar₂ als draaggas, reactie-afzettingsfilm. De voorbereide coating is compact, uniform en hoge zuiverheid. Er zijn echter enkele problemen...
    Lees meer
  • Toepassing van TaC-gecoate grafietonderdelen

    Toepassing van TaC-gecoate grafietonderdelen

    DEEL/1 Smeltkroes, zaadhouder en geleidingsring in SiC- en AIN-eenkristalovens werden gekweekt met behulp van de PVT-methode. Zoals weergegeven in figuur 2 [1], wanneer de fysische damptransportmethode (PVT) wordt gebruikt om SiC te bereiden, bevindt het entkristal zich in het relatief lage temperatuurgebied, de SiC r...
    Lees meer
  • Structuur- en groeitechnologie van siliciumcarbide (Ⅱ)

    Structuur- en groeitechnologie van siliciumcarbide (Ⅱ)

    Ten vierde, Fysische dampoverdrachtmethode Fysische damptransportmethode (PVT) is ontstaan ​​uit de dampfase-sublimatietechnologie uitgevonden door Lely in 1955. Het SiC-poeder wordt in een grafietbuis geplaatst en tot hoge temperatuur verwarmd om het SiC-poeder te ontleden en te sublimeren.
    Lees meer
  • Structuur- en groeitechnologie van siliciumcarbide (Ⅰ)

    Structuur- en groeitechnologie van siliciumcarbide (Ⅰ)

    Ten eerste de structuur en eigenschappen van SiC-kristal. SiC is een binaire verbinding gevormd door het Si-element en het C-element in een verhouding van 1:1, dat wil zeggen 50% silicium (Si) en 50% koolstof (C), en de structurele basiseenheid ervan is de SI-C-tetraëder. Schematisch diagram van siliciumcarbide tetraëder...
    Lees meer
  • Voordelen van tantaalcarbidecoating in halfgeleiderproducten

    Voordelen van tantaalcarbidecoating in halfgeleiderproducten

    Met de voortdurende vooruitgang van wetenschap en technologie spelen halfgeleiderproducten een steeds belangrijkere rol in ons leven. In het productieproces van halfgeleiders is de toepassing van coatingtechnologie steeds belangrijker geworden. Als materiaal breed...
    Lees meer
  • Siliciumcarbide mondstukken bij de productie van elektronische halfgeleiders

    Siliciumcarbide mondstukken bij de productie van elektronische halfgeleiders

    Siliciumcarbide mondstukken spelen een belangrijke rol bij de productie van elektronische halfgeleiders. Ze zijn een apparaat dat wordt gebruikt om vloeistoffen of gassen te spuiten, vaak gebruikt voor natchemische behandeling bij de productie van halfgeleiders. Sic-mondstuk heeft de voordelen van hoge temperatuurbestendigheid, ...
    Lees meer
  • Uitstekende prestaties van siliciumcarbide-kristalboot in omgevingen met hoge temperaturen

    Uitstekende prestaties van siliciumcarbide-kristalboot in omgevingen met hoge temperaturen

    Siliciumcarbide-kristalboot is een materiaal met uitstekende eigenschappen en vertoont buitengewone hitte- en corrosieweerstand in omgevingen met hoge temperaturen. Het is een verbinding bestaande uit koolstof- en siliciumelementen met een hoge hardheid, een hoog smeltpunt en uitstekende thermische eigenschappen.
    Lees meer
  • Ontdek de unieke eigenschappen en toepassingen van Glass Carbon

    Ontdek de unieke eigenschappen en toepassingen van Glass Carbon

    Koolstof is een van de meest voorkomende elementen in de natuur en omvat de eigenschappen van bijna alle stoffen die op aarde voorkomen. Het vertoont een breed scala aan kenmerken, zoals variërende hardheid en zachtheid, isolatie-halfgeleider-supergeleider-gedrag, warmte-isolatie-supergeleiding en li...
    Lees meer
  • Wanneer Glassy Carbon innovatie ontmoet: Semicera leidt de revolutie in Glassy Carbon Coating-technologie

    Wanneer Glassy Carbon innovatie ontmoet: Semicera leidt de revolutie in Glassy Carbon Coating-technologie

    Glasachtige koolstof, ook wel glasachtige koolstof of glasachtige koolstof genoemd, combineert de eigenschappen van glas en keramiek tot een niet-grafitisch koolstofmateriaal. Een van de bedrijven die voorop lopen bij de ontwikkeling van geavanceerde glasachtige koolstofmaterialen is Semicera, een toonaangevende fabrikant die gespecialiseerd is in op koolstof gebaseerde materialen.
    Lees meer
  • Semicera introduceert innovatieve grafietproducten en biedt uitstekende oplossingen voor de industrie

    Semicera introduceert innovatieve grafietproducten en biedt uitstekende oplossingen voor de industrie

    Semicera, een wereldleider in de productie van grafietproducten, heeft onlangs de lancering aangekondigd van een reeks innovatieve producten die uitzonderlijke oplossingen voor de industrie leveren. Als toonaangevend bedrijf op dit gebied streeft Semicera ernaar hoogwaardige en krachtige grafietproducten te leveren.
    Lees meer