-
Wat is tantaalcarbide?
Tantaalcarbide (TaC) is een binaire verbinding van tantaal en koolstof met de chemische formule TaC x, waarbij x gewoonlijk varieert tussen 0,4 en 1. Het zijn extreem harde, broze, vuurvaste keramische materialen met metallische geleidbaarheid. Het zijn bruingrijze poeders en wij...Lees meer -
wat is tantaalcarbide
Tantaalcarbide (TaC) is een keramisch materiaal bij ultrahoge temperaturen met hoge temperatuurbestendigheid, hoge dichtheid en hoge compactheid; hoge zuiverheid, onzuiverheidsgehalte <5PPM; en chemische inertie voor ammoniak en waterstof bij hoge temperaturen, en goede thermische stabiliteit. De zogenaamde ultrahoge ...Lees meer -
Wat is epitaxie?
De meeste ingenieurs zijn niet bekend met epitaxie, dat een belangrijke rol speelt bij de productie van halfgeleiderapparaten. Epitaxie kan in verschillende chipproducten worden gebruikt, en verschillende producten hebben verschillende soorten epitaxie, waaronder Si-epitaxie, SiC-epitaxie, GaN-epitaxie, enz. Wat is epitaxie? Epitaxie is...Lees meer -
Wat zijn de belangrijke parameters van SiC?
Siliciumcarbide (SiC) is een belangrijk halfgeleidermateriaal met een brede bandafstand dat veel wordt gebruikt in elektronische apparaten met hoog vermogen en hoge frequentie. Hieronder volgen enkele belangrijke parameters van siliciumcarbidewafels en hun gedetailleerde uitleg: Roosterparameters: Zorg ervoor dat de ...Lees meer -
Waarom moet monokristallijn silicium worden gewalst?
Walsen verwijst naar het proces van het slijpen van de buitendiameter van een silicium-monokristalstaaf tot een monokristallijne staaf van de vereiste diameter met behulp van een diamantslijpschijf, en het uitslijpen van een referentieoppervlak met vlakke rand of positioneringsgroef van de monokristallijne staaf. De buitendiameter oppervlak...Lees meer -
Processen voor de productie van hoogwaardige SiC-poeders
Siliciumcarbide (SiC) is een anorganische verbinding die bekend staat om zijn uitzonderlijke eigenschappen. Natuurlijk voorkomend SiC, bekend als moissanite, is vrij zeldzaam. In industriële toepassingen wordt siliciumcarbide voornamelijk geproduceerd via synthetische methoden. Bij Semicera Semiconductor maken we gebruik van geavanceerde technieken...Lees meer -
Controle van de uniformiteit van de radiale weerstand tijdens het trekken van kristallen
De belangrijkste redenen die de uniformiteit van de radiale soortelijke weerstand van enkele kristallen beïnvloeden, zijn de vlakheid van het vast-vloeistofgrensvlak en het kleine vlakeffect tijdens kristalgroei. De invloed van de vlakheid van het vast-vloeistofgrensvlak Als de smelt tijdens kristalgroei gelijkmatig wordt geroerd , de...Lees meer -
Waarom kan een eenkristaloven met magnetisch veld de kwaliteit van een kristal verbeteren?
Omdat de smeltkroes als houder wordt gebruikt en er binnenin convectie is, worden de warmteconvectie en de uniformiteit van de temperatuurgradiënt moeilijker te controleren naarmate de grootte van het gegenereerde eenkristal toeneemt. Door een magnetisch veld toe te voegen om de geleidende smelt op de Lorentz-kracht te laten inwerken, kan convectie...Lees meer -
Snelle groei van enkele SiC-kristallen met behulp van CVD-SiC-bulkbron door middel van sublimatiemethode
Snelle groei van enkelvoudige SiC-kristallen met behulp van CVD-SiC-bulkbron via sublimatiemethode. Door gerecyclede CVD-SiC-blokken als SiC-bron te gebruiken, werden SiC-kristallen met succes gekweekt met een snelheid van 1,46 mm/uur via de PVT-methode. De micropijpjes en de dislocatiedichtheden van het gegroeide kristal geven aan dat de...Lees meer -
Geoptimaliseerde en vertaalde inhoud over epitaxiale groeiapparatuur van siliciumcarbide
Siliciumcarbide (SiC)-substraten hebben talrijke gebreken die directe verwerking verhinderen. Om chipwafels te maken, moet via een epitaxiaal proces een specifieke eenkristalfilm op het SiC-substraat worden gegroeid. Deze film staat bekend als de epitaxiale laag. Bijna alle SiC-apparaten worden gerealiseerd op epitaxiale...Lees meer -
De cruciale rol en toepassingsgevallen van SiC-gecoate grafietsusceptors bij de productie van halfgeleiders
Semicera Semiconductor is van plan de productie van kerncomponenten voor halfgeleiderproductieapparatuur wereldwijd te verhogen. Tegen 2027 willen we een nieuwe fabriek van 20.000 vierkante meter bouwen met een totale investering van 70 miljoen USD. Een van onze kerncomponenten, de siliciumcarbide (SiC) waferdrager...Lees meer -
Waarom moeten we epitaxie uitvoeren op siliciumwafelsubstraten?
In de halfgeleiderindustrieketen, vooral in de derde generatie halfgeleiderindustrieketen (halfgeleider met brede bandafstand), zijn er substraten en epitaxiale lagen. Wat is de betekenis van de epitaxiale laag? Wat is het verschil tussen het substraat en het substraat? De onderst...Lees meer