-
Onderzoek naar epitaxiale schijven van halfgeleider-siliciumcarbide: prestatievoordelen en toepassingsvooruitzichten
Op het hedendaagse gebied van de elektronische technologie spelen halfgeleidermaterialen een cruciale rol. Waaronder siliciumcarbide (SiC) als halfgeleidermateriaal met een brede bandafstand, met zijn uitstekende prestatievoordelen, zoals een hoog elektrisch doorslagveld, hoge verzadigingssnelheid, h...Lees meer -
Grafiet hardvilt – innovatief materiaal, opent een nieuw tijdperk van wetenschap en technologie
Als nieuw materiaal grafiethardvilt is het productieproces vrij uniek. Tijdens het meng- en viltproces werken grafeenvezels en glasvezels samen om een nieuw materiaal te vormen dat zowel de hoge elektrische geleidbaarheid als de hoge sterkte van grafeen behoudt en ...Lees meer -
Wat is halfgeleider siliciumcarbide (SiC) wafer
Halfgeleider siliciumcarbide (SiC) wafers, dit nieuwe materiaal is de afgelopen jaren geleidelijk opgekomen en heeft met zijn unieke fysische en chemische eigenschappen een nieuwe vitaliteit voor de halfgeleiderindustrie geïnjecteerd. SiC-wafels, waarbij monokristallen als grondstof worden gebruikt, worden zorgvuldig g...Lees meer -
Productieproces van siliciumcarbidewafels
Siliciumcarbidewafel is gemaakt van zeer zuiver siliciumpoeder en zeer zuiver koolstofpoeder als grondstoffen, en siliciumcarbidekristal wordt gekweekt door middel van fysieke dampoverdrachtmethode (PVT) en verwerkt tot siliciumcarbidewafel. 1. Synthese van grondstoffen: silicium met hoge zuiverheid ...Lees meer -
Geschiedenis van siliciumcarbide en toepassing van siliciumcarbidecoating
De ontwikkeling en toepassingen van siliciumcarbide (SiC) 1. Een eeuw innovatie op het gebied van SiC De reis van siliciumcarbide (SiC) begon in 1893, toen Edward Goodrich Acheson de Acheson-oven ontwierp, waarbij hij koolstofmaterialen gebruikte om de industriële productie van SiC te bereiken. ..Lees meer -
Siliciumcarbidecoatings: nieuwe doorbraken in de materiaalkunde
Met de ontwikkeling van wetenschap en technologie verandert de nieuwe materiële siliciumcarbidecoating geleidelijk ons leven. Deze coating, die op het oppervlak van onderdelen wordt aangebracht door middel van fysische of chemische dampafzetting, spuiten en andere methoden, heeft grote aandacht getrokken...Lees meer -
Grafietvat met SiC-coating
Als een van de kerncomponenten van MOCVD-apparatuur is de grafietbasis het drager- en verwarmingslichaam van het substraat, dat rechtstreeks de uniformiteit en zuiverheid van het filmmateriaal bepaalt, zodat de kwaliteit ervan rechtstreeks van invloed is op de voorbereiding van de epitaxiale plaat, en op de . ..Lees meer -
Werkwijze voor het bereiden van een siliciumcarbidecoating
Momenteel omvatten de bereidingsmethoden van SiC-coating voornamelijk de gel-sol-methode, de inbeddingsmethode, de borstelcoatingmethode, de plasmaspuitmethode, de chemische gasreactiemethode (CVR) en de chemische dampafzettingsmethode (CVD). Inbeddingsmethode: De methode is een soort hoge...Lees meer -
Felicitaties aan onze (Semitera), partner, SAN 'an Optoelectronics, met de stijging van de aandelenkoers
24 oktober - De aandelen in San'an Optoelectronics stegen vandaag maar liefst 3,8 nadat de Chinese halfgeleiderfabrikant zei dat zijn siliciumcarbidefabriek, die de autochip-joint venture van het bedrijf met de Zwitserse technologiegigant ST Microelectronics zal leveren zodra deze klaar is,... .Lees meer -
Doorbraak in de epitaxietechnologie van siliciumcarbide: toonaangevend in de productie van epitaxiale reactoren voor silicium/carbide in China
We zijn verheugd een baanbrekende prestatie aan te kondigen in de expertise van ons bedrijf op het gebied van siliciumcarbide-epitaxietechnologie. Onze fabriek is er trots op een van de toonaangevende fabrikanten in China te zijn die epitaxiale reactoren van silicium/carbide kunnen produceren. Met onze toewijding aan uitzonderlijke kwaliteit...Lees meer -
Nieuwe doorbraak: ons bedrijf verovert tantaalcarbide-coatingtechnologie om de levensduur van componenten te verlengen en de opbrengst te verbeteren
Zhejiang, 20/10/2023 – In een aanzienlijke stap richting technologische vooruitgang kondigt ons bedrijf met trots de succesvolle ontwikkeling van de Tantalum Carbide (TaC) coatingtechnologie aan. Deze baanbrekende prestatie belooft een revolutie in de industrie teweeg te brengen door een aanzienlijke ...Lees meer -
Voorzorgsmaatregelen voor het gebruik van keramische structurele onderdelen van aluminiumoxide
In de afgelopen jaren is aluminiumoxide-keramiek op grote schaal gebruikt in hoogwaardige gebieden zoals instrumentatie, medische voedselbehandeling, fotovoltaïsche zonne-energie, mechanische en elektrische apparaten, laserhalfgeleiders, aardoliemachines, militaire automobielindustrie, ruimtevaart en andere ...Lees meer