SiC-plaat is een soort keramiek met een dichtheid van 0 porositeit, dat is gebaseerd op SiC en gesinterd bij 2250 ℃.Het SiC-gehalte is meer dan 99,6%, de buigsterkte is meer dan 410 mpa en de thermische geleidbaarheid is 140 W / MK. Het is het enige keramische materiaal dat bestand is tegen HF, H2SO4 en andere sterke zuurcorrosie.
Voordelen van siliciumcarbide-keramiek:
1, de thermische uitzettingscoëfficiënt is klein, zeer dicht bij silicium;
2, uitstekende slijtvastheid, hardheid op de tweede plaats na diamant;
3, uitstekende thermische geleidbaarheid, hoge temperatuurbestendigheid en snelle warmteafvoer;

Technische parameters

-
Aangepaste reactie sinteren op hoge temperatuur weerstand ...
-
Apparatuur voor laser-microjetsnijden (LMJ) kan worden gebruikt...
-
Halfgeleider siliciumcarbide waferboot kan worden...
-
Hoogzuivere aluminiumoxide halfgeleiderisolatieri ...
-
Eerste helft – SiC epitaxiale apparatuur...
-
Halfgeleider microporeuze keramische vacuüm Chuck ...