Silicium op isolatiewafelsvan Semicera zijn ontworpen om te voldoen aan de groeiende vraag naar hoogwaardige halfgeleideroplossingen. Onze SOI-wafels bieden superieure elektrische prestaties en een verminderde parasitaire apparaatcapaciteit, waardoor ze ideaal zijn voor geavanceerde toepassingen zoals MEMS-apparaten, sensoren en geïntegreerde schakelingen. De expertise van Semicera op het gebied van de productie van wafels garandeert dat elkSOI-wafelbiedt betrouwbare resultaten van hoge kwaliteit voor uw technologische behoeften van de volgende generatie.
OnsSilicium op isolatiewafelsbieden een optimaal evenwicht tussen kosteneffectiviteit en prestaties. Nu de kosten van soi-wafers steeds concurrerender worden, worden deze wafers op grote schaal gebruikt in een reeks industrieën, waaronder de micro-elektronica en de opto-elektronica. Het uiterst nauwkeurige productieproces van Semicera garandeert superieure waferhechting en uniformiteit, waardoor ze geschikt zijn voor een verscheidenheid aan toepassingen, van SOI-wafels met holtes tot standaard siliciumwafels.
Belangrijkste kenmerken:
•Hoogwaardige SOI-wafels geoptimaliseerd voor prestaties in MEMS en andere toepassingen.
•Concurrerende soi-waferkosten voor bedrijven die op zoek zijn naar geavanceerde oplossingen zonder concessies te doen aan de kwaliteit.
•Ideaal voor geavanceerde technologieën en biedt verbeterde elektrische isolatie en efficiëntie in silicium-op-isolatiesystemen.
OnsSilicium op isolatiewafelszijn ontworpen om hoogwaardige oplossingen te bieden, ter ondersteuning van de volgende golf van innovatie in halfgeleidertechnologie. Of je nu bezig bent met caviteitSOI-wafels, MEMS-apparaten of silicium op isolatorcomponenten, Semicera levert wafers die voldoen aan de hoogste normen in de industrie.
| Artikelen | Productie | Onderzoek | Dummie |
| Kristalparameters | |||
| Polytype | 4H | ||
| Fout in oppervlakteoriëntatie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektrische parameters | |||
| Doteringsmiddel | n-type stikstof | ||
| Weerstand | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
| Mechanische parameters | |||
| Diameter | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dikte | 350±25 μm | ||
| Primaire vlakke oriëntatie | [1-100]±5° | ||
| Primaire platte lengte | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Secundaire flat | Geen | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5 mm * 5 mm) | ≤5 μm (5 mm * 5 mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
| Boog | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Verdraaien | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Voorste (Si-gezicht) ruwheid (AFM) | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
| Structuur | |||
| Dichtheid van de micropijp | <1 stuk/cm2 | <10 stuks/cm2 | <15 stuks/cm2 |
| Metaalonzuiverheden | ≤5E10 atomen/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 e/cm2 | ≤3000 e/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 e/cm2 | NA |
| Front kwaliteit | |||
| Voorkant | Si | ||
| Oppervlakteafwerking | Si-face CMP | ||
| Deeltjes | ≤60ea/wafeltje (size≥0.3μm) | NA | |
| Krassen | ≤5ea/mm. Cumulatieve lengte ≤Diameter | Cumulatieve lengte≤2*Diameter | NA |
| Sinaasappelschil/putten/vlekken/strepen/scheuren/verontreiniging | Geen | NA | |
| Randchips/inkepingen/breuk/zeskantplaten | Geen | ||
| Polytype-gebieden | Geen | Cumulatief gebied≤20% | Cumulatief gebied≤30% |
| Lasermarkering aan de voorkant | Geen | ||
| Terug Kwaliteit | |||
| Afwerking achterkant | C-face CMP | ||
| Krassen | ≤5ea/mm, cumulatieve lengte≤2*Diameter | NA | |
| Rugdefecten (randchips/inkepingen) | Geen | ||
| Ruwheid van de rug | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
| Lasermarkering op de achterkant | 1 mm (vanaf bovenrand) | ||
| Rand | |||
| Rand | Afschuining | ||
| Verpakking | |||
| Verpakking | Epi-ready met vacuümverpakking Verpakking met meerdere wafercassettes | ||
| *Opmerkingen: "NA" betekent geen verzoek. Niet genoemde items kunnen verwijzen naar SEMI-STD. | |||
